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DMN3033LSD
10
8
2.5
2.2
6
I D = 9A
1.9
I D = 250μA
I D = 7A
4
2
1.6
1.3
0
0
2
4 6 8 10 12
14
1
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10
1
0.1
Q g - TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 7 Gate Charge
T A = 150°C
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0.01
0.001
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.0001
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 9 Diode Forward Voltage vs. Current
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
0.9
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 105°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
-T
t 2
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 10 Transient Thermal Response
DMN3033LSD
Document number: DS31262 Rev. 9 - 2
4 of 6
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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